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Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW 1 To

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SSD - chiffré - 1 To - interne - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - mémoire tampon : 1 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption - Poids Brut: 0,08 Kg
86€08TTC
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Description du produit Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - SSD - 1 To - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Type Lecteur àsemi-conducteurs - interne
Capacité 1 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND 3 bits par cellule (TLC)
Format M.2 2280
Interface PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Taille de la mémoire tampon 1 Go
Caractéristiques Prise en charge TRIM,Auto Garbage Collection Algorithm,Dynamic Thermal Guard protection,TurboWrite Technology,V-NAND Technology,NVM Express (NVMe) 1.3,Samsung Phoenix Controller,S.M.A.R.T.
Dimensions (LxPxH) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Poids 8 g
Garantie du fabricant Garantie de 5 ans
Général
Type de périphérique Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité 1 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND 3 bits par cellule (TLC)
Format M.2 2280
Interface PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Taille de la mémoire tampon 1 Go
Caractéristiques Prise en charge TRIM,Auto Garbage Collection Algorithm,Dynamic Thermal Guard protection,TurboWrite Technology,V-NAND Technology,NVM Express (NVMe) 1.3,Samsung Phoenix Controller,S.M.A.R.T.
Largeur 22.15 mm
Profondeur 80.15 mm
Hauteur 2.38 mm
Poids 8 g
Performances
Endurance SSD 600 TB
Débit de transfert interne 3500 Mo/s (lecture) / 3300 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko 19000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko 60000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum 550000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko 600000 IOPS
Fiabilité
FiabilitéMTBF 1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Baie compatible M.2 2280
Alimentation
Consommation électrique 6 Watt (moyenne) 9 Watt (maximum) 30 mW (max. veille)
Divers
Normes de conformité IEEE 1667
Garantie du fabricant
Service et maintenance Garantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement 0 °C
Température maximale de fonctionnement 70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement) 1500 g @ 0.5 ms half-sine