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Samsung 860 EVO MZ-N6E1T0BW 1 To

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Samsung 860 EVO MZ-N6E1T0BWDisque SSD - chiffré - 1 To - interne - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 1 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 - Poids Brut: 0,08 Kg
208€21TTC
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Description du produit Samsung 860 EVO MZ-N6E1T0BW - Disque SSD - 1 To - SATA 6Gb/s
Type Disque SSD - interne - antichoc,prise en charge TRIM,Auto Garbage Collection Algorithm,TurboWrite Technology,eDrive,Samsung MJX Controller,3-bit 3D V-NAND Technology
Capacité 1 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND Cellule multi-niveaux 3D (MLC)
Format M.2 2280
Interface SATA 6Gb/s
Débit de transfert de données 600 Mo/s
Taille de la mémoire tampon 1 Go
Caractéristiques Antichoc,prise en charge TRIM,Auto Garbage Collection Algorithm,TurboWrite Technology,eDrive,Samsung MJX Controller,3-bit 3D V-NAND Technology,S.M.A.R.T.,AES 256 bits,IEEE 1667
Dimensions (LxPxH) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Poids 8 g
Garantie du fabricant Garantie de 5 ans
Général
Type de périphérique Disque SSD - interne
Capacité 1 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND Cellule multi-niveaux 3D (MLC)
Format M.2 2280
Interface SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon 1 Go
Caractéristiques Antichoc,prise en charge TRIM,Auto Garbage Collection Algorithm,TurboWrite Technology,eDrive,Samsung MJX Controller,3-bit 3D V-NAND Technology,S.M.A.R.T.,AES 256 bits,IEEE 1667
Largeur 22.15 mm
Profondeur 80.15 mm
Hauteur 2.38 mm
Poids 8 g
Performances
Endurance SSD 600 TB
Débit de transfert du lecteur 600 Mo/s (externe)
Débit de transfert interne 550 Mo/s (lecture) / 520 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire 4 Ko maximum 88000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko 97000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF 1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces 1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
Baie compatible M.2 2280
Alimentation
Consommation électrique 3 Watt (moyenne) 4.5 Watt (maximum)
Garantie du fabricant
Service et maintenance Garantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement 0 °C
Température maximale de fonctionnement 70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement) 1500 g @ 0.5 ms half-sine