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Samsung 980 MZ-V8V1T0BW

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Samsung 980 MZ-V8V1T0BW - Disque SSD - chiffré - 1 To - interne - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption - Poids Brut: 0,05 Kg
176€60TTC
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Description du produit Samsung 980 MZ-V8V1T0BW - Disque SSD - 1 To - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Type Disque SSD - interne
Capacité 1 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Format M.2 2280
Interface PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques Prise en charge TRIM,Auto Garbage Collection Algorithm,Support de mise en veille de l'appareil,Host Memory Buffer (HMB),NVM Express (NVMe) 1.4,Samsung V-NAND 3bit MLC Technology,Samsung Pablo Controller,Intelligent TurboWrite Technology,contrôle thermique de pointe,S.M.A.R.T.
Dimensions (LxPxH) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Poids 8 g
Garantie du fabricant Garantie de 5 ans
Général
Type de périphérique Disque SSD - interne
Capacité 1 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Format M.2 2280
Interface PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques Prise en charge TRIM,Auto Garbage Collection Algorithm,Support de mise en veille de l'appareil,Host Memory Buffer (HMB),NVM Express (NVMe) 1.4,Samsung V-NAND 3bit MLC Technology,Samsung Pablo Controller,Intelligent TurboWrite Technology,contrôle thermique de pointe,S.M.A.R.T.
Largeur 22.15 mm
Profondeur 80.15 mm
Hauteur 2.38 mm
Poids 8 g
Performances
Endurance SSD 600 TB
Débit de transfert interne 3500 Mo/s (lecture) / 3000 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko 17000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko 54000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum 480000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko 500000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF 1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Baie compatible M.2 2280
Alimentation
Consommation électrique 4.6 Watt (moyenne) 5.3 Watt (maximum) 0.045 Watt (inactif)
Logiciels &Configuration requise
Logiciel(s) inclus Samsung Magician Software
Divers
Normes de conformité IEEE 1667
Garantie du fabricant
Service et maintenance Garantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement 0 °C
Température maximale de fonctionnement 70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement) 1500 g @ 0.5 ms half-sine