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Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW

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SSD - chiffré - 2 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 2 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption - Poids Brut: 0,09 Kg
312€05TTC
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Description du produit Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW - SSD - 2 To - SATA 6Gb/s
Type Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité 2 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND Cellule à quatre niveaux (QLC)
Format 2.5"
Interface SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon 2 Go
Caractéristiques Prise en charge TRIM,technologie Garbage Collection,mode veille,TurboWrite Technology,V-NAND Technology,Low Power DDR4 SDRAM Cache,Samsung MKX Controller,S.M.A.R.T.,AES 256 bits,IEEE 1667
Dimensions (LxPxH) 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Poids 46 g
Garantie du fabricant Garantie de 3 ans
Général
Type de périphérique Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité 2 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND Cellule à quatre niveaux (QLC)
Format 2.5"
Interface SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon 2 Go
Caractéristiques Prise en charge TRIM,technologie Garbage Collection,mode veille,TurboWrite Technology,V-NAND Technology,Low Power DDR4 SDRAM Cache,Samsung MKX Controller,S.M.A.R.T.,AES 256 bits,IEEE 1667
Largeur 69.85 mm
Profondeur 100 mm
Hauteur 6.8 mm
Poids 46 g
Performances
Endurance SSD 720 TB
Débit de transfert interne 560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko 11000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko 35000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum 88000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko 98000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF 1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces 1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches
Baie compatible 2.5"
Alimentation
Consommation électrique 3.3 Watt (moyenne) 5.5 Watt (maximum) 0.045 Watt (inactif)
Garantie du fabricant
Service et maintenance Garantie limitée - 3 ans
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement 0 °C
Température maximale de fonctionnement 70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement) 0.5 ms half-sine
Résistance aux chocs (au repos) 1500 g @ 0,5 ms